MOS ICs & Technology Pro para PC
Valoración: 5,0/5 - 1 votos
Última versión: 1
Descargas: 1+
Actualizada: 2024/04/18
Información
Precio: Gratis
Tamaño: 1 MB
Versión actual: 1
Nombre de paquete: com.faadooengineers.pro_mosicsandtechnology
Categoría: Educación
Desarrollador: Engineering Apps
Compatibilidad: Android 2.3 y versiones posteriores
Capturas de pantalla: [ Ver todo ]
Novedades
Check out New Learning Videos! We have Added
• Chapter and topics made offline acces
• New Intuitive Knowledge Test & Score Section
• Search Option with autoprediction to get straight the your topic
• Fast Response Time of Application
• Provide Storage Access for Offline Mode
• Chapter and topics made offline acces
• New Intuitive Knowledge Test & Score Section
• Search Option with autoprediction to get straight the your topic
• Fast Response Time of Application
• Provide Storage Access for Offline Mode
Notas sobre MOS ICs & Technology (circuito integrado) para un aprendizaje fácil y un aprendizaje rápido. Esta aplicación es en realidad un manual, que cubre todos los temas del tema. Puede considerar esta aplicación como una nota que los profesores guían en un aula.
Puede aprobar y aprobar fácilmente sus exámenes y entrevistas si tiene esta aplicación en su teléfono móvil, y ofrezca una visión general durante unos días.
Abarca 114 temas de MOS ICs & Technology en detalle. Estos 114 temas están divididos en 8 unidades.
Algunos de los temas cubiertos en esta aplicación son:
1. La ley de Moore.
2. Comparación de tecnologías disponibles.
3. Transistores básicos de MOS
4. Modo de mejora de la acción del transistor:
5. Fabricación de NMOS:
6. Fabricación de CMOS- PROCESO P-WELL
7. Proceso de fabricación-N-WELL CMOS:
8. Proceso de fabricación de doble bañera CMOS
9. Tecnología bi-CMOS: - (CMOS bipolar):
10. Producción de máscaras de e-beam.
11. Introducción al transistor MOS
12. Relación entre Vgs e Ids, para un Vds fijo
13. Ecuaciones de MOS (ecuaciones básicas de DC):
14. Efectos de segundo orden
15. CARACTERÍSTICAS DE INVETER CMOS
16. Características del inversor DC
17. Derivación gráfica de las características del inversor DC
18. Margen de ruido
19. Inversores de carga estática MOS
20. Puertas de transmisión.
21. Tristate Inverter
22. Stick diagrams-Codificaciones para proceso NMOS
23. Codificaciones para proceso CMOS.
24. Codificación para BJT y MOSFETs.
25. Estilo de diseño NMOS y CMOS
26. Reglas de diseño - MOS ICs y tecnología
27. Via
28. Reglas de diseño basadas en lambda CMOS
29. Orbit 2um proceso CMOS
30. Estimación de la resistencia.
31. Resistencia laminar de los transistores mos.
32. Estimación de la capacitancia.
33. retraso
34. Retrasos del inversor.
35. Estimación formal del retraso.
36. Conducción de grandes cargas capacitivas.
37. Valor óptimo de f
38. Super buffer
39. Conductores de Bicmos.
40. Retraso de propagación.
41. Otras fuentes de capacitancia.
42. Elección de capas
43. Escalado de dispositivos mos.
44. Diseño físico básico y visión general.
45. Diseño físico básico y visión general.
46. Esquema y trazado de compuertas basicas-Inverter Gate.
47. Esquema y trazado de puertas básicas -NAND y NOR Gate.
48. Puerta de transmisión
49. Diseño de celda estándar CMOS
50. Optimización del diseño para el rendimiento.
51. Pautas generales de diseño
52. BICMOS Lógica
53. Lógica pseudo nmos.
54. Otras variaciones de pseudo nmos: lógica de drenaje múltiple y lógica cambiada.
55. Otras variaciones de pseudo nmos- Lógica cmos dinámica.
56. Otras variaciones de pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. Lógica dominó de CMOS
58. Lógica de conmutación de voltaje en cascada
59. pasar la lógica del transistor
60. Estructuras de circuitos lógicos de tecnología CMOS.
61. Escalado de circuitos MOS
62. Tecnología de escalado
63. Hoja de ruta tecnológica internacional para semiconductores (ITRS)
64. Modelos de escala y factores de escala para parámetros de dispositivos
65. Implicaciones del escalamiento
66. Los problemas de interconexión
67. Radio alcanzable
68. Potencia dinámica y estática.
69. Productividad y límites físicos.
70. Limitaciones de escalamiento
71. Sustrato dopaje.
72. Ancho de agotamiento
73. Límites de la miniaturización.
74. Límites de interconexión y resistencia de contacto.
75. Límites debidos a corrientes por debajo del umbral.
76. Límites debidos a corrientes por debajo del umbral.
77. Sistema
78. Flujo de diseño VLSI
79. 3 Enfoque de diseño estructurado
80. Regularidad
81. MOSFET como Switch
82. Conexión en paralelo y en serie de interruptores.
83. INVERSOR CMOS
84. Diseño de la puerta NAND
85. Diseño de puerta NOR.
86. Propiedades de CMOS
87. Puertas complejas.
88. Puertas complejas AOI
LINKS IMPORTANTES
Comentarios: Comparta sus comentarios en essyengineering@gmail.com
Vínculos sociales
Facebook: https://www.facebook.com/EngineeringEasy/
Twitter: https://twitter.com/easyengineerin
Sitio web: http: //www.engineeringapps.net/
Todo un muy feliz aprendizaje.
Puede aprobar y aprobar fácilmente sus exámenes y entrevistas si tiene esta aplicación en su teléfono móvil, y ofrezca una visión general durante unos días.
Abarca 114 temas de MOS ICs & Technology en detalle. Estos 114 temas están divididos en 8 unidades.
Algunos de los temas cubiertos en esta aplicación son:
1. La ley de Moore.
2. Comparación de tecnologías disponibles.
3. Transistores básicos de MOS
4. Modo de mejora de la acción del transistor:
5. Fabricación de NMOS:
6. Fabricación de CMOS- PROCESO P-WELL
7. Proceso de fabricación-N-WELL CMOS:
8. Proceso de fabricación de doble bañera CMOS
9. Tecnología bi-CMOS: - (CMOS bipolar):
10. Producción de máscaras de e-beam.
11. Introducción al transistor MOS
12. Relación entre Vgs e Ids, para un Vds fijo
13. Ecuaciones de MOS (ecuaciones básicas de DC):
14. Efectos de segundo orden
15. CARACTERÍSTICAS DE INVETER CMOS
16. Características del inversor DC
17. Derivación gráfica de las características del inversor DC
18. Margen de ruido
19. Inversores de carga estática MOS
20. Puertas de transmisión.
21. Tristate Inverter
22. Stick diagrams-Codificaciones para proceso NMOS
23. Codificaciones para proceso CMOS.
24. Codificación para BJT y MOSFETs.
25. Estilo de diseño NMOS y CMOS
26. Reglas de diseño - MOS ICs y tecnología
27. Via
28. Reglas de diseño basadas en lambda CMOS
29. Orbit 2um proceso CMOS
30. Estimación de la resistencia.
31. Resistencia laminar de los transistores mos.
32. Estimación de la capacitancia.
33. retraso
34. Retrasos del inversor.
35. Estimación formal del retraso.
36. Conducción de grandes cargas capacitivas.
37. Valor óptimo de f
38. Super buffer
39. Conductores de Bicmos.
40. Retraso de propagación.
41. Otras fuentes de capacitancia.
42. Elección de capas
43. Escalado de dispositivos mos.
44. Diseño físico básico y visión general.
45. Diseño físico básico y visión general.
46. Esquema y trazado de compuertas basicas-Inverter Gate.
47. Esquema y trazado de puertas básicas -NAND y NOR Gate.
48. Puerta de transmisión
49. Diseño de celda estándar CMOS
50. Optimización del diseño para el rendimiento.
51. Pautas generales de diseño
52. BICMOS Lógica
53. Lógica pseudo nmos.
54. Otras variaciones de pseudo nmos: lógica de drenaje múltiple y lógica cambiada.
55. Otras variaciones de pseudo nmos- Lógica cmos dinámica.
56. Otras variaciones de pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. Lógica dominó de CMOS
58. Lógica de conmutación de voltaje en cascada
59. pasar la lógica del transistor
60. Estructuras de circuitos lógicos de tecnología CMOS.
61. Escalado de circuitos MOS
62. Tecnología de escalado
63. Hoja de ruta tecnológica internacional para semiconductores (ITRS)
64. Modelos de escala y factores de escala para parámetros de dispositivos
65. Implicaciones del escalamiento
66. Los problemas de interconexión
67. Radio alcanzable
68. Potencia dinámica y estática.
69. Productividad y límites físicos.
70. Limitaciones de escalamiento
71. Sustrato dopaje.
72. Ancho de agotamiento
73. Límites de la miniaturización.
74. Límites de interconexión y resistencia de contacto.
75. Límites debidos a corrientes por debajo del umbral.
76. Límites debidos a corrientes por debajo del umbral.
77. Sistema
78. Flujo de diseño VLSI
79. 3 Enfoque de diseño estructurado
80. Regularidad
81. MOSFET como Switch
82. Conexión en paralelo y en serie de interruptores.
83. INVERSOR CMOS
84. Diseño de la puerta NAND
85. Diseño de puerta NOR.
86. Propiedades de CMOS
87. Puertas complejas.
88. Puertas complejas AOI
LINKS IMPORTANTES
Comentarios: Comparta sus comentarios en essyengineering@gmail.com
Vínculos sociales
Facebook: https://www.facebook.com/EngineeringEasy/
Twitter: https://twitter.com/easyengineerin
Sitio web: http: //www.engineeringapps.net/
Todo un muy feliz aprendizaje.
Instrucciones de instalación
Cómo instalarlo MOS ICs & Technology Pro para PC con BlueStacks
Gracias a BlueStacks podrás ejecutar apps para Android en tu PC. BlueStacks funciona como la clásica interfaz de Android. En lugar de utilizar gestos táctiles, este móvil virtual se controla con el ratón y el teclado.
- En primer lugar, debe instalar el software Bluestacks en su computadora o computadora portátil: descargar BlueStacks
- Después de Bluestacks, ahora debe descargar el archivo APK de MOS ICs & Technology Pro: haga clic aquí
- Abra la aplicación Bluestacks ya instalada en su PC / Laptop. En la barra de herramientas de la esquina izquierda, encontrará una opción de Agregar APK. Cargue el archivo APK usando la opción en Bluestacks. Haga clic en eso.
- Te preguntará acerca de la ubicación donde guardaste el APK descargado. En mi caso, lo he guardado en el escritorio, así que estoy seleccionando eso.
- Ahora instalará automáticamente la aplicación en Bluestacks. Encontrará el MOS ICs & Technology Pro en la pestaña de aplicaciones en la pantalla principal de la ventana Bluestacks.
- Ahora, ya está todo listo para usar MOS ICs & Technology Pro en la PC. Aquí está el MOS ICs & Technology Pro que se ejecuta con éxito en mi PC después de la instalación y hace clic en la aplicación.
Cómo instalarlo MOS ICs & Technology Pro para PC con Nox App Player
Nox App Player es un programa para ordenador que se encarga de emular un entorno Android para que el usuario pueda jugar a cualquier juego de la Play Store sin necesidad de utilizar un dispositivo móvil. Resulta muy útil para aquellos usuarios que disponen de un dispositivo desfasado o que prefieren aprovechar la potencia de su ordenador en los mejores juegos de Android.
- En primer lugar, debe descargar el reproductor de la aplicación Nox - https://es.bignox.com/, haga clic en el software para comenzar la instalación en su computadora / computadora portátil.
- Ahora, descargue el archivo APK de aquí.
- Después de la instalación, abra el reproductor de NOX. En la esquina derecha de la caja de herramientas, encontrará una opción de 'Agregar APK'. Haga clic en esa opción.
- Seleccione No volver a mostrar y haga clic en Sé.
- Debes elegir el APK de la ubicación descargada. Como lo guardé en el escritorio, elijo desde allí. (Si su archivo descargado está en el área de Descargas, seleccione .APK desde allí)
- Nox instalará automáticamente la aplicación. Ábrelo desde la pantalla de inicio del reproductor de la aplicación Nox.
- Luego se le preguntará si desea cambiar su ubicación de 'Mundial' a cualquier ubicación en particular. Inicialmente, elija la opción Más tarde.
- Ahora, está listo para usar la aplicación con algunos enlaces de sitios web preexistentes integrados en la aplicación.
- Nota: Use ESCAPE para regresar a la pantalla de inicio o puede usar los símbolos para operar MOS ICs & Technology Pro en PC NOX app player.
Valoraciones y reseñas
5,0 de 5 - 1 votos
Otras versiones
Opiniones
(*) is required
También te puede interesar
Más de este desarrollador
